基板在我國的發(fā)展已有很長一段時間的歷史,基板類型一直在不斷應(yīng)需增加,傳統(tǒng)的基板包括了纖維基板、FR-4、鋁基板、銅基板等類型。
為何氮化鋁陶瓷基板比其他基板貴
隨著工業(yè)要求的提升、細(xì)化,受到熱耗散和熱膨脹系數(shù)匹配性等方面的限制,當(dāng)傳統(tǒng)的基板性能難以滿足新需求時,人們不得不開始尋求替代品,在尋求的過程中根據(jù)各式各樣的需求自然會對各種基板進(jìn)行對比,擇優(yōu)而購。
作為最佳選擇,采用了LAM技術(shù)(激光快速活化金屬化技術(shù)Laserhigh-peedactivationmetallization)的
氮化鋁陶瓷基板讓金屬層與陶瓷之間結(jié)合得更緊密,金屬層與陶瓷之間結(jié)合強(qiáng)度高,最大可以達(dá)到45,Pa(大于1mm厚陶瓷片自身的強(qiáng)度)。使氮化鋁基板擁有更牢、更低阻的金屬膜層,導(dǎo)電層厚度在1μm~1mm內(nèi)還可任意定制。
比較傳統(tǒng)陶瓷基板,鋁基基板的熱導(dǎo)率是1~2W/mk,雖然銅本身的導(dǎo)熱率達(dá)到了383.8W/m.K,但絕緣層的導(dǎo)熱率只有1.0W/m.K.左右,好一點的能達(dá)到1.8W/m.K。而氮化鋁陶瓷基板具有更高的熱導(dǎo)率,數(shù)據(jù)為170~230W/m.k。
舉例來說熱膨脹系數(shù)(CTE)。在LED照明領(lǐng)域,主流基板CTE平均導(dǎo)熱率為14~17ppm/C,而硅芯片的CTE為6ppm/C,在溫差過大、溫度劇變的情況下,PCB會比芯片封片封裝膨脹得更劇烈,導(dǎo)致脫焊問題。在這種困擾之下,氮化鋁陶瓷基板的CTE為4-5ppm/C讓人眼前一亮,和芯片的膨脹率更為接近,能有效避免類似情況。
除此之外,氮化鋁陶瓷基板不含有機(jī)成分,銅層不含氧化層,使用壽命長,可在還原性氣氛中長期使用,適于航空航天設(shè)備。
氮化鋁陶瓷基板的在市面上的用途相當(dāng)廣泛,由于它高頻損耗小,介電常數(shù)小的特性,可進(jìn)行高頻電路的設(shè)計和組裝,也可進(jìn)行高密度組裝,線/間距(L/S)分辨率可以達(dá)到20μm,在以輕薄小巧為科技潮流的當(dāng)下,十分利于實現(xiàn)設(shè)備的短、小、輕、薄化。
陶瓷基板的生產(chǎn)市場主在海外,近年來為了實現(xiàn)氮化鋁陶瓷基板的國產(chǎn)化、自主研究優(yōu)勢和滿足國內(nèi)市場越加高漲的對氮化鋁基板的需求,為了擁有更好基礎(chǔ)進(jìn)行技術(shù)研發(fā),從而占據(jù)行業(yè)一線地位,國內(nèi)PCB企業(yè)紛紛加以重視,氮化鋁陶瓷基板的優(yōu)勢相當(dāng)突出。
在電子工業(yè)上沒有貴不貴,只有適不適用,最合適的才是對的。如何讓物有所值,物超所值?正是航空航天、通訊信息、照明家電等等領(lǐng)域工業(yè)的飛速發(fā)展促使了
氮化鋁陶瓷基板這樣的產(chǎn)品出現(xiàn),這些擁有突出優(yōu)勢的產(chǎn)品也必然會成為新的潮流,來印證時代對它們的選擇。氮化鋁基板作為更優(yōu)越的選擇,是大勢所趨。